高溫反偏試驗（High Temperature Reverse Bias Test，簡稱HTRB）是一種用于評估半導體器件可靠性的重要測試方法。該試驗通過在高溫條件下施加反向電壓，觀察器件隨時間增加的漏電流變化，以判斷其是否會出現(xiàn)失效。此測試適用于多種功率半導體器件，包括MOSFET、IGBT、二極管、雙極型晶體管（BJT）、硅控整流器（SCR）以及GaN基器件等。

HTRB測試的關鍵要素可以概括為以下三個方面：

1、溫度設置：測試溫度的設定需依據(jù)被測器件的材料特性和相關的測試標準。例如，肖特基二極管可能在100℃下進行測試，而玻璃鈍化器件的測試溫度可能達到150℃。另外，根據(jù)采用的測試標準，如JESD22-A108，測試溫度可能設定為125℃、150℃或175℃。當前，測試溫度的設定參照多種標準，包括美軍標準、國家標準、JEDEC、IEC、AEC標準以及企業(yè)自定義標準。

2、反向電壓的確定：HTRB測試中施加的反向電壓通常基于器件的額定耐壓值，一般取其80%作為試驗電壓。結(jié)合高溫環(huán)境，測量器件的漏電流，以此來評估其長期穩(wěn)定性及可靠性。

3、測試持續(xù)時間：標準的測試持續(xù)時間包括168小時、500小時和1000小時等，但實際測試時長會根據(jù)用戶的具體需求而定。對于要求更為嚴格的應用，如汽車電子或軍工領域，測試條件和持續(xù)時間會更加苛刻，以確保篩選出更高可靠性的芯片或器件。

通過上述三個關鍵方面的綜合考量，高溫反偏試驗能夠全面評估功率半導體器件在高溫和長時間工作條件下的性能穩(wěn)定性。此外，這種測試對老化板和老化測試座的耐高溫性能和耐久性也提出了更高要求。

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